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RAM：Random Access Memory 隨機(jī)存取內(nèi)存

DRAM: Dynamic Random Access Memory 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，動態(tài)指的是需要周期性刷新維持電荷. 費(fèi)電但是容量大，性價比高

SRAM: Static Random Access Memory 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器, 容量一般較小，性能很強(qiáng)

SDRAM: Synchronous DRAM 有同步接口的DRAM

DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）傳輸效率是SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)的兩倍

DDR2 ,DDR3, DDR4就是各個升級版本，總體新一代相比前一代頻率更高，電壓更低

下面補(bǔ)充一些s5pv210上找到的一些資料：

關(guān)鍵字：DDR LPDDR s5pv210 引用地址：DDR 2/3/4 和LPDDR

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DDR，DDR2，DDR3，F(xiàn)SB總線，HT總線的頻率圖

CPU頻率*CPU位數(shù)（如64bit)/8=CPU帶寬內(nèi)存，CPU，和(主板支持的）總線的傳輸帶寬關(guān)系很重要。再看看顯卡與CPU天梯圖

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L3/L4研究：L3/L4與L2++雙線并行研發(fā)策略漸成主流

自動駕駛行業(yè)迎來政策推動，將加速L3/L4商業(yè)化落地進(jìn)程 2023年下半年，國內(nèi)出臺了多項(xiàng)有關(guān)自動駕駛的政策，L3/L4級別的自動駕駛車輛終于在國內(nèi)獲得了合法上路的權(quán)利。這些重要政策也為國內(nèi)自動駕駛行業(yè)注入了活力與生機(jī)，進(jìn)一步推動L3/L4自動駕駛車輛的技術(shù)和商業(yè)模式發(fā)展，并加速其大規(guī)模商業(yè)化落地。 2023年10月8日，交通運(yùn)輸部發(fā)布《公路工程設(shè)施支持自動駕駛技術(shù)指南》，該《指南》立足公路工程設(shè)施數(shù)字化、智能化發(fā)展趨勢，從更好地支持車輛在公路上進(jìn)行自動駕駛的需求出發(fā)，明確了我國的“車路云一體化”方案中尤其是路側(cè)智能以及配套設(shè)施建設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)。 2023年11月17日，四部委聯(lián)合正式發(fā)布了《關(guān)于開展智能網(wǎng)聯(lián)汽車準(zhǔn)入

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國產(chǎn)DDR4內(nèi)存研發(fā)完成解決產(chǎn)能問題迫在眉睫

內(nèi)存最核心的技術(shù)就是內(nèi)存顆粒（DRAM），目前DRAM內(nèi)存生產(chǎn)技術(shù)主要掌握在三星、SK Hynix及美光三大公司手中，據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，國內(nèi)今年在存儲芯片的進(jìn)口額超過千億美元。　　而轉(zhuǎn)回到國內(nèi)，在DDR4內(nèi)存為主流的今天，國內(nèi)依舊在DDR3徘徊，國內(nèi)廠商與這些一線大廠相比差距十分明顯。而近期終于有好消息傳出，紫光國微公司宣布DDR4存儲芯片開發(fā)工作基本完成。　　紫光國微就是之前的西安紫光國芯，今年5月份改名為紫光國微，而紫光集團(tuán)6月初與重慶市政府、國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金發(fā)起成立了紫光國芯集成電路股份有限公司，注冊資本1000億人民幣，還會尋求IPO上市，占用了紫光國芯這個名字，所以之前的西安紫光國芯就更名為紫光國芯微電子股份有限公司

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紫光國芯DDR4 DRAM開始量產(chǎn)

近期紫光國芯旗下西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司網(wǎng)站顯示，其DDR4內(nèi)存模組已經(jīng)發(fā)布。該公司的DDR4模塊采用兩種非緩沖DIMM（U-DIMM）和SO-DIMM開發(fā)。 U型DIMM是 “SCQ04GU03AF1C-21P”， “SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM在2個模型“SCQ04GS03AF1C-21P”，“SCQ08GS13AF1C-21P”。紫光國芯1月23日在全景網(wǎng)投資者互動平臺上回答投資者提問時介紹，DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實(shí)現(xiàn)較高的容量。另外，頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會降低工作電壓，有利于更低的功耗。同時，關(guān)于公司在國內(nèi)業(yè)界、排名情況，紫光國芯介紹，公司的DRA

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揚(yáng)帆起航 DRAM新一代DDR4踏上征程

歷經(jīng)六年的開發(fā)時間，DDR4終于踏上征程，揚(yáng)帆起航。近日英特爾服務(wù)器處理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新運(yùn)算架構(gòu)的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3，開始支持時鐘頻率達(dá)2133MHz的DDR4存儲器，這表明在PC、服務(wù)器平臺叱咤風(fēng)云多年的DDR3進(jìn)入世代交替的階段。其實(shí)英特爾的這個出乎意料的舉動還滿反常的，因?yàn)檫@異于其以往處理器支持新規(guī)格存儲器的步調(diào)──通常先針對PC平臺、再針對服務(wù)器平臺。但目前英特爾僅在第三季才剛推出的高階桌上型PC處理器當(dāng)中（Core i7-5820K、i7-5930K、i7-5960X極致版），支持DDR4，而不是等到DDR4在PC、筆電產(chǎn)品全面普及后，

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Linux-3.0.8中基于S5PV210的IRQ模塊代碼追蹤和分析

init/main.c: 1 asmlinkage void start_kernel(void) 2 { 3 ...... 4 early_irq_init(); 5 init_IRQ(); 6 ...... 7 } early_irq_init()函數(shù)有兩種實(shí)現(xiàn)，一種是基于radix tree，一種是定義靜態(tài)數(shù)組，如果要使用radix tree實(shí)現(xiàn)的，那么需要打開SPARSE_IRQ配置選項(xiàng)，由于我對數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)不了解，所以分析以下靜態(tài)數(shù)組實(shí)現(xiàn)方式版本的。 /kernel/irq/irqdesc.c 1 struct irq_desc irq_desc __cacheline_aligned_in_

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(一)S5PV210開發(fā)板常用易忘操作記錄

一、調(diào)試串口 2、SD卡槽 (三)啟動方式選擇蜂鳴器下面的白色2針插座（圖中紅色線圈出來的那個）為選擇USB/SD卡啟動的開關(guān)。默認(rèn)情況下為SD卡啟動，如果需要USB啟動則使用短路帽（若沒有短路帽，只要用其他金屬導(dǎo)電物短路2根針即可）短接2個針腳，即可從USB啟動。 (四)刷機(jī) 注意：刷andorid4.0系統(tǒng)使用uart2作為調(diào)試串口，android2.3、linux、wince都使用uart0作為調(diào)試串口；然后波特率設(shè)置為115200 用 fastboot 刷Android4.0：用的鏡像文件： uboot.bin、x210.img、zImage-android 用到的工具： DNW.exe fa

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(一)<font color='red'>S5PV210</font>開發(fā)板常用易忘操作記錄

S5PV210裸機(jī)驅(qū)動開發(fā)之led關(guān)開門狗(加匯編注示)

總結(jié)：　　1.手動關(guān)看門狗，只需往寄存器WTCON寫入0即可; 　　2.調(diào)手C函數(shù)實(shí)延時的功能,以測試IROM中的固化代碼是否設(shè)置了棧，結(jié)果證明設(shè)置了棧； start.S中： .globl _start _start: //關(guān)閉看門狗 ldr r0, =0xE2700000 mov r1, #0 str r1, //設(shè)置GPJ2CON的bit ,配置GPJ2_0/1/2/3引腳為輸出功能 ldr r1, =0xE0200280 //加載32位立即數(shù)0xE0200280到r1 ldr r0, =0x00001111 str r0, //把ro中的數(shù)據(jù)存儲到地址0xE0200280中 mo

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