使用 SRAM 進行簡單測試

• Cubemx 設(shè)置 USB_OTG_FS 為 Device_Only, USB_DEVICE 設(shè)置 Class For FS IP 為 Mass Storage Class, 里面詳細配置使用默認參數(shù)即可.

• 到 Project Manager 設(shè)置棧大小稍微大些, 因為 USB 協(xié)議的函數(shù)調(diào)用和局部變量較多, 比如設(shè)置成 0x10000.

• 在 usbd_storage_if.c 中添加如下代碼, 使用 SRAM 作為存儲:

#define STORAGE_LUN_NBR                  1

#define STORAGE_BLK_NBR                  200        /* 內(nèi)存容量一般來說很少, 這里使用 100K 的內(nèi)存作為實驗 */

#define STORAGE_BLK_SIZ                  0x200

/* USER CODE BEGIN PRIVATE_DEFINES */

static char msc_data[STORAGE_BLK_NBR * STORAGE_BLK_SIZ];    /* 定義數(shù)組用來存放數(shù)據(jù) */

/* USER CODE END PRIVATE_DEFINES */

/* 修改下面兩個函數(shù) */

int8_t STORAGE_Read_FS(uint8_t lun, uint8_t *buf, uint32_t blk_addr, uint16_t blk_len)

{

    /* USER CODE BEGIN 6 */

    memcpy(buf, msc_data + STORAGE_BLK_SIZ*blk_addr, blk_len*STORAGE_BLK_SIZ);

    return (USBD_OK);

    /* USER CODE END 6 */

}

int8_t STORAGE_Write_FS(uint8_t lun, uint8_t *buf, uint32_t blk_addr, uint16_t blk_len)

{

    /* USER CODE BEGIN 7 */

    memcpy(msc_data + STORAGE_BLK_SIZ*blk_addr, buf, blk_len*STORAGE_BLK_SIZ);

    return (USBD_OK);

    /* USER CODE END 7 */

}

使用 NAND FLASH 做測試

int8_t STORAGE_Read_FS(uint8_t lun, uint8_t *buf, uint32_t blk_addr, uint16_t blk_len)

{

  /* USER CODE BEGIN 6 */

  for (int i = 0; i < blk_len; i++)

  {

    nand_flash_read_page((blk_addr + i) * 64, 0, buf, 4096);

  }

  return (USBD_OK);

  /* USER CODE END 6 */

}

int8_t STORAGE_Write_FS(uint8_t lun, uint8_t *buf, uint32_t blk_addr, uint16_t blk_len)

{

  /* USER CODE BEGIN 7 */

  for (int i = 0; i < blk_len; i++)

  {

    nand_flash_erase(blk_addr + i);

    nand_flash_write_page((blk_addr + i) * 64, 0, buf, 4096);

  }

  return (USBD_OK);

  /* USER CODE END 7 */

}