首先看2440的地址線：mini2440原理圖.pdf

2440的芯片提供了27根地址線=128M。

S3c2440芯片對外提供的引腳上，只給出了27根地址線addr[0:26].這27根引腳地址線，只能訪問128M的外設(shè)空間。

為了擴(kuò)大外設(shè)的訪問范圍，S3c2440芯片又提供了8個片選信號nGCS0~nGCS7。當(dāng)某個片選信號nGCSx有效時，則可以通過27根地址線去訪問對應(yīng)這個片選的128MB空間。由于有8個片選，所以2440芯片能訪問的外設(shè)空間總共為8*128MB=1GB.而1G(0x40000000)以上的空間，則安排給了2440內(nèi)部的寄存器，訪問這些內(nèi)部的寄存器，則是通過32位的處理器內(nèi)部總線來完成的。

8個片選信號引腳：

接下來看看芯片手冊的信息：

S3C2440.pdf的5. Memory Controller

片選6和7一般是安排內(nèi)存的位置，2440也是，在片選6和7是SROM和SDRAM?？梢钥吹?440內(nèi)存的起始地址是0x30000000.

存儲控制器：

由上圖可知，要去訪問內(nèi)存，NorFlash，網(wǎng)卡芯片等。是通過存儲控制器來訪問的。例如訪問內(nèi)存地址，我們知道要訪問內(nèi)存的地址需要提供L-Bank，行地址和列地址，可我們在訪問的時候只給出一個例如0x30006000的詳細(xì)地址。那處理器怎么知道所謂的L-Bank，行地址和列地址呢？這就是需要存儲控制器，他會把詳細(xì)的地址單元分解為L-Bank，行地址和列地址供CPU訪問。

要讓存儲控制器完成對外設(shè)的訪問，是通過它提供的一系列寄存器來進(jìn)行的。

第一個寄存器是：BWSCON寄存器的功能四控制總線寬度和等待狀態(tài)。

從寄存器的各個位看到，它的32位被分為8組，31-28位是控制Bank7的，以此類推。

31-28是控制bank7的，設(shè)置為0010，首先31沒有使用，所以是0,30位暫時不使用也設(shè)置為0，然后bank7內(nèi)存芯片是通過兩個16位的內(nèi)存芯片合并成一個32位的內(nèi)存芯片，所以是32位的，所28-29是10。Bank6也是一樣的，都是鏈接SDRAM的。剩下的暫時不用都是默認(rèn)值0.值為0x22000000.

然后對bank0到bank5對應(yīng)的六個寄存器，由于暫時不用，也是保持默認(rèn)值：0x07000000

接下來是Bank6和Bank7的控制寄存器：

從上面知道由于這里使用的是SDRAM，所以[16:15]的值為11；然后這里的Memory Type，我們2440是SDRAM是下面的參數(shù)值，所以[14:4]=00000000000;

然后末四位，[3:2]是控制行列信號的延時，下圖可以看到是兩個時鐘周期，所以是00.

前面知道，內(nèi)存地址很像一張表格，里面是由行地址和列地址來確定單元格的位置的。那么列地址有多少位呢？就是通過[1:0]位指定的。

在：HY57V561620.pdf文檔看到：列地址是CA    0~CA8是9位的，所以[1:0]=01.最后該寄存器的值為：11000000000000001=0x18001

所以Bank6和Bank7的值為0x00018001.

接下來的寄存器是：REFRESH寄存器：

在前面的筆記知道，SDRAM里面存儲信息是通過電容的電荷來記錄信息的，就需要定期充電的操作，否則信號失真，所以需要定期刷新。

從上面知道，[23]位是控制是否要刷新的，這里是要刷新的。所以REFEN[23]是為1的。TREFMD[22]位控制的是自動刷新還是自主刷新，這里選的是自動刷新，所以該位為0. Trp[21:20]兩位控制的是準(zhǔn)備充電的時間，下面可以看到準(zhǔn)備時間是2個時鐘，所以是00.

接著是Tsrc是，一行進(jìn)行刷新的持續(xù)時間，一般是7個時鐘，所以是11.[17:16]是不使用的是00.[15:11]五位也是一樣的00000.最后是[10:0]Refresh Counter域的大小11位，是控制多就刷新一次的，后面的公式里HCLK是提供給內(nèi)存的時鐘，在前面知道它是ARMCLK的四分之一，ARMCLK選的是533MHz，它的四分之一是133MHz。

然而下面它給出了一個例子：如果HCLK是100MHz，那么：

Refresh count=+1-100*7.8=1269.

而我們的是133MHz，所以是：

Refresh count=+1-133*7.8= 1011.6=1011=b01111110011

最后該寄存器的值是：100011000000001111110011=0x8C03F3=0x008C03F3

接下來是BANKSIZE寄存器，這個寄存器：

這個寄存器只有前面加個為：[7]是BURST_EN突發(fā)模式，所謂的突發(fā)模式就是訪問內(nèi)存數(shù)據(jù)的時候可以使用批量的數(shù)據(jù)，提高訪問效率，打開是設(shè)置1。[6]位是保留位。[5]位是節(jié)電模式，設(shè)置為1.[4]位建議設(shè)置為1，就選1好了。[3]保留。[2:0]是bank6.7的大小的，知道是兩片32M的，組成64M的，所以是001.最后的值是：10110001=0x000000b1

最后一組寄存器是控制bank6和bank7的模式的，兩個是一樣的：

在這組寄存器中，只有幾個位，而且很多都是Fixed固定的，看到只需要設(shè)置[CL]位。所謂的CL就是CAS的潛伏期，什么叫CAS信號的潛伏期？看一段時序圖：

潛伏期就是從RAS信號變成低電平，到CAS變?yōu)榈碗娖?，這段之間的時鐘，從上圖知道是3，上圖知道3個時鐘對應(yīng)的是011。所以這兩個寄存器的值是0x00000030.

到這里內(nèi)存控制的寄存器都在上面的信息，接下來是2440存儲控制器代碼的編寫：

上面為了初始化儲存控制器，需要設(shè)置13寄存器，如果每一個寄存器都需要ldr指令取出，然后再置數(shù)，第三在str指令存入，這樣需要39條指令。這樣感覺很是沒效率。而且代碼是差不多的，在別的編程語言，會有循環(huán)來處理。接下來也用循環(huán)來給寄存器置數(shù)。

最后實現(xiàn)的代碼是：

#define mem_contrl 0x48000000 //13個寄存器的第一個寄存器的地址

init_sdram:

    ldr r0, =mem_contrl //把第一個寄存器的地址存入r0寄存器

    add r3, r0, #4*13 //把最后一個寄存器的地址存入r3，總共13個寄存器。

    adrl r1, data //adrl指令，把data標(biāo)號的基地址傳給r1

0: //

    ldr r2, [r1], #4 //把r1寄存器指向數(shù)據(jù)表的第一個數(shù)據(jù)取出，放到r2寄存器里，r1+4指

//向數(shù)據(jù)表的下一個數(shù)據(jù)的地址。

    str r2, [r0], #4 //把r2寄存器里的值傳給r0寄存器所指向的地址，然后r0+4指向寄存器

//表的下一個寄存器。

    cmp r0, r3 //比較r0和r3的地址，看是否到了寄存器表的末尾。如果相等結(jié)束程序。

    bne 0b //如果不相等，則bne，b是跳轉(zhuǎn)，條件ne=no equal，標(biāo)識是0，b是before往

                                                    //前跳轉(zhuǎn)

    mov pc, lr //返回

data:

    .long 0x22000000 //.long 偽指令，指明長度。

    .long 0x00000700

    .long 0x00000700

    .long 0x00000700

    .long 0x00000700

    .long 0x00000700

    .long 0x00000700

    .long 0x00018001

    .long 0x00018001

    .long 0x008c04f5

    .long 0x000000b1

    .long 0x00000030

    .long 0x00000030

上面代碼的過程可以用下圖解釋：

整個過程：把要寫入寄存器的值：可以創(chuàng)建一個數(shù)據(jù)表的存儲結(jié)構(gòu)把它們存起來。這里定義了Data數(shù)據(jù)表，然后知道寄存器的地址是遞增的。所以只要定義一個標(biāo)識來存起來，標(biāo)識的地址就是數(shù)據(jù)的開始地址，寄存器的開始地址是知道的。然后就可以吧D1里的值傳給P1所指向的地址，遞增寄存器地址。循環(huán)上述操作。直到寄存器的地址表末尾就結(jié)束。這樣就在匯編里，使用了循環(huán)結(jié)構(gòu)，往連續(xù)地址的寄存器里存入了指定的數(shù)據(jù)。