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我們知道一般MCU的flash有等待周期，隨主頻提升需要插入flash讀取的等待周期，以stm32f103為例，主頻在72M時需要插入2個等待周期，故而代碼效率無法達(dá)到最大時鐘頻率。

所以STM32F103將代碼加載到sram運行速度更快。

但使用GD32F303時將代碼加載到SRAM后速度反而下降了一些，這是為什么呢？

我們前面了解過GD32F303 flash的code area區(qū)是零等待的，GD32F系列MCU片上Flash中Code區(qū)和Data區(qū)使用解密

零等待訪問理論上就應(yīng)該和在sram運行速度一樣，那么為何會比sram更快一些呢？

通過查閱GD32F303用戶手冊系統(tǒng)架構(gòu)章節(jié)我們可以知道，訪問flash時可以直接通過ibus和sbus專用總線進(jìn)行訪問，而訪問sram時通過AHB主機接口通過System BUS進(jìn)行訪問，AHB主機接口下更還有掛載有其他主機和外設(shè)總線，共享總線帶寬。

所以GD32F303的代碼運行在code area零等待區(qū)時，效率會比常規(guī)加載sram的方式更高。

關(guān)鍵字：GD32F303 代碼運行 flash sram 引用地址：為什么GD32F303代碼運行在flash比sram更快？

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