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面向BTI特征分析的在運(yùn)行中閾值電壓測(cè)量

面向BTI特征分析的在運(yùn)行中閾值電壓測(cè)量 傳統(tǒng)CMOS工藝縮放技術(shù)的發(fā)展正逐漸逼近極限，迫切需要采用新材料和新器件設(shè)計(jì)。隨著這些新材料和新設(shè)計(jì)的出現(xiàn)，人們非常關(guān)注潛在失效機(jī)理，并需要進(jìn)行更多的可靠性測(cè)試。諸如偏溫不穩(wěn)定性（N-BTI和P-BTI）等失效機(jī)理需要高速信號(hào)源和測(cè)量功能才能解析快速恢復(fù)效應(yīng)。通過(guò)分析包括在運(yùn)行中測(cè)量在內(nèi)的各種測(cè)量技術(shù)，有助于利用合適的儀器實(shí)現(xiàn)有效的測(cè)量解決方案。

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  • 更新時(shí)間：2009-12-29 16:42:46
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