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2018年04月24日 | IC廠商紛紛沖刺7納米工藝 臺積電、三星、英特爾進入第一陣營

發(fā)布者:明石軒 來源: 電子產品世界關鍵字:臺積電  三星 手機看文章 掃描二維碼
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  去年年底,外媒稱7nm制程成本太高,僅蘋果、三星考慮在2018年采用7nm工藝。如今看來,IC廠商在7nm的布局速度超出預期,有報告顯示,麒麟980將采用臺積電7nm工藝,有望成為首批量產的7nm SoC。同時,三星提前半年利用EUV(極紫外光刻)設備完成了7nm 芯片工藝研發(fā),高通的驍龍5G芯片將成為7nm LPP工藝的首批嘗鮮者。一線IC設計和晶圓代工廠商針對7nm的“卡位戰(zhàn)”蓄勢待發(fā)。下面就隨嵌入式小編一起來了解一下相關內容吧。

  “目前7nm制程還缺乏統(tǒng)一的標準和定義,但基本可以確定臺積電、三星、英特爾走在了第一陣營?!睒I(yè)內專家莫大康告訴《中國電子報》記者。

  IC巨頭積極布局7nm

  據全球第二大晶圓代工廠格羅方德計算,7nm制程工藝可以讓芯片面積大幅減少,同等晶體管下,7nm芯片是14nm芯片的1/2.7,從而帶來芯片功耗的降低和計算頻率的提升。由于成本壓力,7nm不會出現“一哄而上”的局面,但一線IC廠商已先后宣布7nm制程計劃。

  高性能計算是先進工藝的追隨者。目前,FGPA陣營的賽靈思宣布在自適應計算加速平臺采用臺積電7nm工藝,首款產品預計2018年流片,2019年交付市場,最新公布的112G PAM4 收發(fā)器技術同樣采用臺積電的7nm工藝。聯發(fā)科的ASIC產品線計劃在本月推出業(yè)界首款通過7nm FinFET硅驗證的56G PAM4 SerDes IP。

  2017年正式推出AI芯片的比特大陸也將7nm納入制程版圖。記者向比特大陸求證得知,比特大陸已經擁有7nm設計經驗,計劃在第五代TPU芯片使用7nm工藝,預計2020年面市。同時,記者了解到,AMD將在下一代顯卡使用7nm工藝,英特爾的自動駕駛芯片EyeQ5也計劃使用7nm制程。

  對于手機龍頭,7nm制程不失為推動尖端機型升級,卡位高階市場的手段。麒麟980、蘋果A12、驍龍855都有望使用7nm工藝,并裝備在華為、蘋果、高通下一代旗艦機型。手機中國聯盟秘書長王艷輝向記者指出,隨著制程越來越先進,成本會急劇攀升,投資規(guī)模越來越大,一線廠商的優(yōu)勢會更加明顯。

  制程的晉升意味著更低的功耗、更快的運算速度和更小的芯片尺寸,但IC設計或制造廠商不一定跟進每一個制程節(jié)點,例如格羅方德選擇計劃從14nm直接進入7nm,跳過10nm制程。目前來看,主要IC廠商都有7nm布局計劃。芯謀研究總監(jiān)王笑龍向記者指出,7nm是一線IC設計廠商不會繞開的節(jié)點。從技術來看,7nm在數據的處理和傳輸具有明顯優(yōu)勢,尤其適用于高性能計算芯片;從市場來看,產品技術規(guī)格的不斷演進是避免價格戰(zhàn)的有效手段,廠商只有晉升規(guī)格才能保持價位。

  但是,7nm的推進過程也面對不確定因素。

  首先是7nm的標準。英特爾高層曾在“精尖制造日”表示,友商10nm制程技術的晶體管密度只相當于英特爾14nm制程晶體管密度,制程技術應該以實踐來度量。從側面反映IC廠商在先進制程的度量標準和命名上尚未取得共識。

  某剛剛采用英特爾14nm技術的解決方案提供商告知記者,英特爾14nm工藝的線距都在14nm,最窄線距在10nm以內,而友商存在以最窄線距命名技術節(jié)點的情況,所以英特爾的14nm可以與“友商”的10nm對標。

  其次,IC廠商會在7nm推出多款產品,還是僅僅作為向5nm的過渡,取決于該制程的性價比。王艷輝向記者指出,7nm或許會對10nm造成沖擊,但不一定會對14nm造成擠壓,因為14nm仍是性價比較好的制程。IC設計廠商會在7nm“停留”多久,關鍵在于廠商對良率、功耗、成本的把控能力。

  臺積電、三星、英特爾進入7nm第一陣營

  去年年底,臺積電共同CEO劉德音表示,7nm制程已有超過40個客戶。在今年年初的投資者大會上,臺積電又透露出已經獲得超過50家客戶訂單的消息,涵蓋智能手機、游戲主機、處理器、AI應用、比特幣礦機等等。按照計劃,臺積電已于去年第四季度進行7nm風險性試產,預計今年第二季度開始量產。

  面對臺積電在市場占有的全面優(yōu)勢,三星將希望寄托在EUV技術。EUV采用波長為10~14nm的極紫外光作為光源,可使曝光波長降到13.5nm,在二次圖片成形等技術中,曝光過程可能重復2~3次,但EUV技術可以一次完成,起到簡化工藝流程、縮短生產周期的作用,被視為在先進制程延續(xù)摩爾定律的關鍵。據韓媒報道,三星已經利用EUV設備完成對7nm工藝的研發(fā),比原定計劃提前半年,為工藝改良和升級留有更加充足的時間。2月23日,三星動工建設新的EUV產線,預計2019年下半年完工,2020年投產。

  三星是否能通過EUV實現對臺積電的反超呢?莫大康向記者指出,EUV不僅是購入光刻機,還要走通一整條產業(yè)鏈,掩模版、檢測儀器都要做出變化,目前EUV技術還不成熟,存在光源功率不足等問題,三星采用EUV是一條冒險的路。而代工出身的臺積電在工藝水平、第三方IP、后端工藝制程都是強者,加上臺積電預計7nm的收入貢獻比例將達到10%,量產可能走在三星前面。

  雖然在7nm沒有傳出太多動作,英特爾仍是三星、臺積電不可忽視的對手。英特爾在精尖制造日公布的數據顯示,其10nm工藝的鰭片間距、柵極間距、邏輯晶體管密度均優(yōu)于友商。莫大康向記者指出,英特爾每年研發(fā)投入在一百億美金以上,在FinFet等關鍵工藝技術均走在前列,英特爾主要是IDM廠商,雖然有代工業(yè)務,卻不急于向外界通報進展,但從目前的工藝進程看,臺積電、三星、英特爾已經走在第一陣營。

  7nm不是先進制程的最終賽點,3-5nm制程已經進入臺積電和三星的視野。臺積電計劃從2020年開始量產5nm12寸晶圓,計劃生產5nm制程的晶圓十八廠第一期廠房已于今年年初在南部工業(yè)科學園區(qū)動工,預計2020年年初進入量產;二期、三期廠房預計在2020年、2021年分別進入量產。待2022年第一、二、三期廠房全部進入量產,年產能預估超過100萬片。同時臺積電承諾,未來3nm廠房也將在南部科學園區(qū)建立。三星也在去年聯合IBM、格羅方德開發(fā)了可打造5nm芯片的制程。

  但5nm技術還不成熟,近期 EUV技術爆出在5nm節(jié)點時出現隨機缺陷。業(yè)界專家向記者表示,5nm不僅是技術問題,也是經濟問題,如果5nm不具備性價比,即便一線廠商也僅會讓高端產品追隨先進制程的演進。

  “推動工藝技術進步的關鍵是性價比,制程越到后面,性價比就越關鍵?!蹦罂嫡f。

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關鍵字:臺積電  三星 引用地址:IC廠商紛紛沖刺7納米工藝 臺積電、三星、英特爾進入第一陣營

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