作為集成電路的發(fā)明者，仙童給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)留下了無(wú)數(shù)的腳印，以下是部分重要產(chǎn)品一覽。

1958年，諾伊斯發(fā)明了平面集成電路，采用薄膜淀積方式將分立器件互聯(lián)，而來(lái)自德州儀器的基爾比則是用導(dǎo)線將器件互聯(lián)，因此諾伊斯的集成電路更接近現(xiàn)代的集成電路。

1959 年 7 月 30 日，諾伊斯為單片集成電路提出專利申請(qǐng)。

1961 年 4 月 25 日，仙童半導(dǎo)體獲授此專利，并從此開(kāi)啟了集成電路時(shí)代。 電阻-晶體管邏輯 (RTL) 產(chǎn)品 — 置位/復(fù)位觸發(fā)器 — 是該行業(yè)首個(gè)可作為單片生產(chǎn)的集成電路。

在60年代初，仙童半導(dǎo)體開(kāi)始研制MOSFET，盡管該技術(shù)落后于RCA和貝爾實(shí)驗(yàn)室，但仙童的技術(shù)令MOSFET穩(wěn)定的量產(chǎn)成為可能。

1963年，仙童的Robert Widlar和Dave Talbert合作開(kāi)發(fā)了兩款革命性產(chǎn)品：uA702與uA709。第二代 RTL 產(chǎn)品開(kāi)發(fā)成功，即雙柵設(shè)備首次采用了埋層隔離技術(shù)。

1964年，采用薄膜發(fā)射極電阻技術(shù)的NPN 平面功率晶體管做法為業(yè)界首創(chuàng)。

1965年，仙童開(kāi)發(fā)了首個(gè)普遍應(yīng)用于全行業(yè)的 OpAmp（運(yùn)算放大器）— 這是線性集成電路領(lǐng)域中的一個(gè)里程碑。

1966年，仙童推出了首個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的 TTL 產(chǎn)品，一個(gè)四芯導(dǎo)線雙輸入NAND柵極。 TTL 邏輯仍是該行業(yè)的主力產(chǎn)品。與早期電路類型相比，該產(chǎn)品在速度和功率方面更具優(yōu)勢(shì)。

1967年，仙童全行業(yè)首個(gè)雙層金屬工藝 32 柵極定制 DTL 邏輯數(shù)組投產(chǎn)。

1968年，仙童Rederico Faggin設(shè)計(jì)出了3708，這是全球首款采用SGT的商用MOS集成電路，同時(shí)SGT技術(shù)未來(lái)也被用于設(shè)計(jì)包括CCD、動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、EPROM和flash等。David Fullagar開(kāi)發(fā)了業(yè)界廣泛流行的uA741，一種最早將溫度補(bǔ)償和 MOS 電容器納入的線性集成電路。

1973年，仙童成為全球首家量產(chǎn)CCD器件的公司，盡管是貝爾實(shí)驗(yàn)室首先發(fā)明的。仙童推出業(yè)界首個(gè)具有發(fā)射極-基極和基極-集電器接頭的介質(zhì)隔離功能的功能性設(shè)備。合并式等平面 II (Incorporated Isoplanar II)使集成電路晶體管的尺寸比仙童最初等平面的產(chǎn)品減小了 70%。 與傳統(tǒng)工藝所生產(chǎn)的設(shè)備相比，等平面設(shè)備的性能 II 改善了兩倍。

伴隨著英特爾推出8008 8位處理器之后，仙童也開(kāi)發(fā)了F8 8位處理器。

1976年，仙童開(kāi)發(fā)出首款視頻游戲系統(tǒng)，使用了F8微處理器，該產(chǎn)品一直流行到雅達(dá)利問(wèn)世之后。

1978年，仙童推出了 FAST 邏輯，其性能比標(biāo)準(zhǔn)的Schottky (74S) 提高了 20% 至 30%，功率減小 75% 至 80%。

1985 年，F(xiàn)ACT?（Fairchild 高級(jí) CMOS 技術(shù)）邏輯在保持 CMOS 低功耗的同時(shí)獲得較快的速度。 它為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供了優(yōu)質(zhì)線性特征，以及優(yōu)秀的 ESD 和閉鎖抗擾度。 FACT AC 和 ACT 系列提供了具有 CMOS 兼容輸入及 TTL 與 MOS 兼容輸出特性的標(biāo)準(zhǔn)邏輯功能。 FACT 是市場(chǎng)上首個(gè)高性能 CMOS 系列，也是唯一一個(gè)在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中立于不敗之地的產(chǎn)品。

1986年，使用高耐用性和低能耗的Fairchild浮動(dòng)?xùn)艠O COMS推出首款 CMOS 非易失性電力可拭存儲(chǔ)器，用于要求小腳本和高可靠性的應(yīng)用程序。

1989年，F(xiàn)ACT 靜音系列 (FACT QS?) 使用專有的"靜音系列"技術(shù)控制輸出過(guò)沖、下沖和 EMI，并提供所有 CMOS 方法都無(wú)可匹敵的低噪音，同時(shí)提供比 FACT 更快的速度。 FACT 靜音系列 ACQ 產(chǎn)品提供 CMOS 兼容輸入和 MOS 兼容輸出。 它是首個(gè)結(jié)合電路圖的 CMOS 系列，用于控制所有CMOS 電路產(chǎn)生的噪音。

1990 年，推出建立在 AMG?（替代金屬接地）架構(gòu)上的 EPROM。 傳統(tǒng)的 T 電池每?jī)膳乓粋€(gè)觸點(diǎn)，與之相比，該架構(gòu)每 64 排僅需一個(gè)觸點(diǎn)。 因此，它是行業(yè)中尺寸最小的芯片。

1991年，較快的柵極速度、滿載電壓和溫度補(bǔ)償，以及推動(dòng)低阻抗傳輸線的能力使 300 系列成為基于 ECL 的系統(tǒng)以及 ECL 與 TTL 和/或 CMOS 混合系統(tǒng)的優(yōu)選邏輯設(shè)備。 它是在溫度/電壓 ECL 電路里納入溫度和電壓補(bǔ)償?shù)氖讉€(gè)系列之一。

1993年，首款 HC-置換、低噪音、高速 CMOS 邏輯設(shè)備。

1994年，CROSSVOLT? LCX 低壓邏輯系列是 3.3 優(yōu)化邏輯設(shè)備中性能最佳的產(chǎn)品。其率先納入過(guò)壓容差，推動(dòng)行業(yè)向 3.3V 操作轉(zhuǎn)變。為在 ISA 總線適配器卡上實(shí)現(xiàn)即插即用功能，提供完整的單芯片解決方案。

1996年，TinyLogic? 在某些現(xiàn)有可用最小封裝中提供單柵功能。 "微型高速系列"提供與 HC/VHC 相似的性能，并可配合 CMOS (HS) 和 TTL (HST) 兼容輸入使用。

1997年：

GTLP 后面板收發(fā)器特別為中高性能后面板應(yīng)用設(shè)計(jì)。 開(kāi)漏輸出結(jié)構(gòu)和邊緣速率控制使后面板設(shè)計(jì)師可優(yōu)化其設(shè)計(jì)，以便在利用入射波切換的同時(shí)，還可使用后面板的獨(dú)特性能特征，從而使后面板數(shù)據(jù)的流量最大化。

每平方英寸 1 千萬(wàn)個(gè)單元代表著仙童閉合單元 PLANAR 30V 功率 MOSFET 產(chǎn)品組合的頂峰。 隨著低柵極電荷以及更快的切換要求使 PowerTrench? 成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)，此功率 MOSFET 技術(shù)標(biāo)志著行業(yè)發(fā)展的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

仙童的 CROSSVOLT? VCX 低電壓邏輯是業(yè)界首個(gè)針對(duì) 2.5V 性能進(jìn)行優(yōu)化的低電壓系列。 VCX 速度非?？?，有 3.3V、2.5V 和 1.5V等電壓可選。 VCX 以高性能 CMOS 方法制造而成，提供輸入和輸出超壓容差、低 CMOS 功耗和均衡的高驅(qū)動(dòng)。

1998年，同類中首款算術(shù)控制器引擎 (ACEx?) 是一個(gè)為低功率高性能而優(yōu)化的復(fù)雜 8 位微型控制器。 ACEx 首次使用 8 根引線 TSSOP 封裝，是低功率和電池應(yīng)用的理想選擇。
仙童的模擬生產(chǎn)線率先使用在 PC 上用其 RC5051 進(jìn)行 DC-DC 轉(zhuǎn)換的開(kāi)關(guān)。

1999年：仙童進(jìn)入 LVT 市場(chǎng)

仙童進(jìn)入 LVT 市場(chǎng)，以滿足客戶對(duì)蒲式耳和非蒲式耳 LVT 產(chǎn)品穩(wěn)定供應(yīng)的要求，從而大幅擴(kuò)展了Fairchild進(jìn)入分離式驅(qū)動(dòng)應(yīng)用（如后面板、存儲(chǔ)器陣列、網(wǎng)絡(luò)和電信開(kāi)關(guān)）整體消費(fèi)市場(chǎng)的道路。

仙童成功完成對(duì)Samsung電力設(shè)備部門(mén)的收購(gòu)，獲得了一條用于生產(chǎn)功率分離式設(shè)備以及各類行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模擬元件的完整生產(chǎn)線。 仙童的多市場(chǎng)產(chǎn)品組合現(xiàn)在包括市場(chǎng)排名前 100 的高容量模擬產(chǎn)品，以及最全面的分立式電源產(chǎn)品。

在功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)中使用時(shí)，仙童的開(kāi)放式單元平面 MOSFET 技術(shù)擁有業(yè)界最佳性能。 QFET 技術(shù)具有改善的導(dǎo)通電阻、最小化的柵門(mén)負(fù)以及非常高的 dv/dt 能力，因而能提高耐久性。

仙童的電源開(kāi)關(guān)技術(shù) (SPS) 將一個(gè)脈沖寬度調(diào)節(jié) (PWM) IC 和一個(gè)用于離線電源切換封裝的 SenseFET 相結(jié)合。 在減少部件數(shù)量并使成本最小化的同時(shí)，電源開(kāi)關(guān)解決方案還提供了有助于增加可靠性的保護(hù)功能。

仙童的 IGBT 是一種綜合使用二極和 MOSFET 兩種技術(shù)的電源轉(zhuǎn)換器，因而使設(shè)備具有容易驅(qū)動(dòng)的低開(kāi)態(tài)損耗特性。 IGBT 特別適合更高功率的應(yīng)用。在此類應(yīng)用中，其可抑制 MOSFET 的傳導(dǎo)損失。

用于電源產(chǎn)品的 BGA 封裝 仙童半導(dǎo)體成為上市公司 公司在紐約股票交易所的股票交易代碼為 FCS。

在功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)中使用時(shí)，仙童的開(kāi)放式單元平面 MOSFET 技術(shù)擁有業(yè)界最佳性能。 QFET 技術(shù)具有改善的導(dǎo)通電阻、最小化的柵極電荷以及非常高的 dv/dt 能力，因而能提高耐久性。

2000年：

2000 年，仙童推出接口和邏輯組，進(jìn)軍快速增長(zhǎng)的 Internet 硬件和無(wú)線領(lǐng)域。 這是公司規(guī)劃的關(guān)鍵一步，即通過(guò)新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和戰(zhàn)略收購(gòu)成為所選市場(chǎng)中的領(lǐng)軍者，實(shí)現(xiàn)內(nèi)部增長(zhǎng)。
仙童完成對(duì) QT 光電子的收購(gòu)

仙童完成對(duì)光電領(lǐng)域全球最大獨(dú)立公司 QT Optoelectronics 的收購(gòu)，將公司產(chǎn)品組擴(kuò)大到所有細(xì)分市場(chǎng)。

仙童通過(guò)收購(gòu) Kota Microcircuits 和 Micro Linear 的電源管理業(yè)務(wù)，促進(jìn)其全球模擬業(yè)務(wù)的發(fā)展。 僅僅 28 個(gè)月里，此收購(gòu)就使公司模擬業(yè)務(wù)的年收入公司從零增長(zhǎng)到 4 億美元。

仙童推出同類首個(gè) MOSFET BGA 封裝，該封裝具有用于手機(jī)電源管理應(yīng)用的 FDZ204P 高電流密度負(fù)載切換功能。 這款創(chuàng)新的專利封裝具有從 2.25至 27.5 mm2 不等的各類規(guī)格，額定電流超過(guò) 30 安培。

2001年：

仙童推出行業(yè)首個(gè) 20 位可配置總線開(kāi)關(guān)。 FST16450 是一個(gè)具有可選電平切換功能的 20 位可配置總線開(kāi)關(guān)，F(xiàn)STUD16450 是一個(gè)具有下沖保護(hù)和可選電平切換功能的 20 位可配置總線開(kāi)關(guān)。 這兩個(gè) 20 位設(shè)備都可配置為 4、5、8、10、16 或 20 位開(kāi)關(guān)。 這些設(shè)備為設(shè)計(jì)師顯著地節(jié)省了空間、提供了設(shè)計(jì)的靈活性，并減少了部件數(shù)量。

仙童完成了對(duì) Intersil 公司分立電源業(yè)務(wù)的收購(gòu)，并成為世界上第二大電源 MOSFET 供應(yīng)商。
在亞太地區(qū)，仙童的分立式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)排名第一。

在亞太地區(qū)，仙童的分立式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)排名第一，在該市場(chǎng)的收入增加了約 31%。 仙童通過(guò)優(yōu)化以下市場(chǎng)獲得飛躍，一舉領(lǐng)先： 計(jì)算機(jī)（包括臺(tái)式機(jī)、筆記本、服務(wù)器、HDD）、通訊（包括移動(dòng)電話、網(wǎng)絡(luò)）、汽車、電源 (AC/DC, DC/DC)、電動(dòng)機(jī)控制、消費(fèi)者、照明鎮(zhèn)流器、CRT 顯示器和新興市場(chǎng)（游戲系統(tǒng)、DSC、PDA、MP3）。

2002年：

FDS6670AS 代表了應(yīng)用于第三代 PowerTrench? 工藝核心的 Fairchild SyncFET(tm) 專利技術(shù)。

仙童開(kāi)發(fā)表面貼裝藍(lán)色 LED?。 此外，在為 CPU 核心電壓電源同步整流降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而設(shè)計(jì)的產(chǎn)品線里，F(xiàn)DS6670AS 為最新產(chǎn)品，它代表應(yīng)用于第三代 PowerTrench? 工藝核心的 Fairchild SyncFETTM 專利技術(shù)。

2003：

FSBB20CH60 是用于三相逆變器的業(yè)界最小智能電源模塊，且一個(gè)封裝里包含 16 個(gè)芯片。

2005：

推出 μSerDes? 低功率 24 位雙向串并/并串轉(zhuǎn)換器。該轉(zhuǎn)換器也是體積最小、功率最低、 EMI SerDes 最低的設(shè)備。 它大大減少了信號(hào)線的使用，因此迅速在新興的手機(jī)市場(chǎng)普及。 靈活的架構(gòu)使之可在無(wú)需更改軟件的條件下跨平臺(tái)使用。 同一時(shí)期，Dr. Mark Thompson 被委任為總裁兼 CEO。

2010：

FDMC7570S（一個(gè) 25 V 的 MOSFET）在一個(gè) 3 mm x 3 mm MLP 封裝中提供行業(yè)最低的 RDS(ON)， — 從而提供無(wú)可匹敵的高效率，并改善接合溫度。

FDZ192NZ和 FDZ372NZ 是行業(yè)中最小最薄的晶圓級(jí)芯片尺寸 (WL-CSP) N 溝道器件。