光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑(或稱(chēng)光刻膠)的硅片上,通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。光刻技術(shù)是借用照相技術(shù)、平板印刷技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝技術(shù)。
通俗易懂的說(shuō),集成電路制造,是要在幾平方厘米的面積上,成批的制造出數(shù)以?xún)|計(jì)的器件,而每個(gè)器件結(jié)構(gòu)的也相當(dāng)復(fù)雜,如圖1所示。打個(gè)比方,這個(gè)規(guī)模相當(dāng)于在一根頭發(fā)絲的橫截面積上制造幾十上百萬(wàn)個(gè)這樣的晶體管。有些類(lèi)似于印刷術(shù)或者照相的技術(shù),首選需要一個(gè)模具,然后想辦法將模具上的圖形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到旋涂有光刻膠的基底上。然而由于要做的晶體管結(jié)構(gòu)相當(dāng)小,只有借用“無(wú)孔不入”的光來(lái)實(shí)現(xiàn)這一功能,這就是光刻技術(shù),字面理解,就是用光來(lái)“雕刻”。
想象一下照相,物體反射的光線經(jīng)過(guò)鏡頭,投影在底片上,然后底片上的感光材料發(fā)生變化,從而將物體“轉(zhuǎn)移”到底片上,這是一個(gè)成像過(guò)程。光刻也類(lèi)似,如圖2所示,光源發(fā)出的光線照射在掩模版(前文說(shuō)的模具)上,出射的光線已經(jīng)攜帶了掩模版上的圖形信息。掩模版就是在透明的基底(石英)上繪制出需要制作的圖形結(jié)構(gòu),有圖形的地方是透明的,沒(méi)有圖形的地方是遮光(金屬鉻)的,也可以反過(guò)來(lái)。攜帶掩模版圖形信息的光線照射在旋涂有感光材料(光刻膠)的基底上,這一過(guò)程稱(chēng)為曝光,受到照射的位置光刻膠性質(zhì)會(huì)發(fā)生改變,使其能夠溶于堿性或者酸性溶液,這一過(guò)程稱(chēng)為顯影。通過(guò)曝光和顯影,掩模版上的圖形就被轉(zhuǎn)移到了光刻膠上,然后經(jīng)過(guò)后續(xù)刻蝕或者薄膜淀積等工藝再將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到基底上。
根據(jù)曝光方式的不同,光刻機(jī)主要分為3種,接觸式,接近式以及投影式,如圖3所示。接觸式光刻機(jī)是最簡(jiǎn)單的光刻機(jī),曝光時(shí),掩模壓在涂有光刻膠的晶圓片上,優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單,分辨率高,沒(méi)有衍射效應(yīng),缺點(diǎn)是掩模版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸,每次接觸都會(huì)在晶圓片和掩模版上產(chǎn)生缺陷,降低掩模版使用壽命,成品率低,不適合大規(guī)模生產(chǎn)。接近式光刻機(jī)掩模版與光刻膠間隔10~50μm,所以缺陷大大減少,優(yōu)點(diǎn)是避免晶圓片與掩模直接接觸,缺陷少,缺點(diǎn)是分辨率下降,存在衍射效應(yīng)。而現(xiàn)今硅片光學(xué)曝光最主要的方法是投影式曝光,一般光學(xué)系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍,聚焦并與硅片上已有的圖形對(duì)準(zhǔn)后曝光,每次曝光一小部分,曝完一個(gè)圖形后,硅片移動(dòng)到下一個(gè)曝光位置繼續(xù)對(duì)準(zhǔn)曝光,這種方法有接觸式的分辨率,但不產(chǎn)生缺陷。實(shí)際光刻機(jī)中的曝光系統(tǒng)復(fù)雜的多,如圖4所示。
上面簡(jiǎn)述了光刻工藝的流程,在實(shí)際工藝中,一個(gè)芯片的產(chǎn)生要經(jīng)歷幾十次光刻才能完成,有些結(jié)構(gòu)層甚至需要多次光刻才能形成。光刻是芯片制造的核心,是IC制造的最關(guān)鍵步驟,在主流的微電子制造過(guò)程中,光刻是最復(fù)雜、昂貴和關(guān)鍵的工藝,其成本約占整個(gè)硅片加工成本的三分之一甚至更多。
說(shuō)道芯片制造,不得不說(shuō)摩爾定律,摩爾定律是由英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾于1965年提出來(lái)的。其內(nèi)容為:集成電路上可容納的電晶體(晶體管)數(shù)目,約每隔24個(gè)月便會(huì)增加一倍;經(jīng)常被引用的“18個(gè)月”,是由英特爾首席執(zhí)行官大衛(wèi)·豪斯所說(shuō):預(yù)計(jì)18個(gè)月會(huì)將芯片的性能提高一倍(即更多的晶體管使其更快)。
摩爾定律的推動(dòng)下,為了更高的新能,更低的功耗以及更低的成本,用于光刻的光源波長(zhǎng)從436nm(G線,汞燈),405nm(H線,汞燈),365nm(I線,汞燈),248nm(DUV,汞燈KrF準(zhǔn)分子激光),193nm(DUV,ArF),157nm(未使用),到目前最先進(jìn)的13.5nm(EUV)。157nm的光源并未實(shí)際使用,而是由193nm浸沒(méi)式光刻所替代(利用水的折射率大于空氣的原理,如圖5所示)。
之所以要不斷縮小波長(zhǎng),就是要提高光刻分辨率,光刻分辨率,就是指能清晰分辨出硅片上相隔很近的特征圖形的能力,公式是R=kλ/NA,其中k代表工藝因子,λ表示波長(zhǎng),NA表示曝光系統(tǒng)的數(shù)值孔徑??梢钥闯觯岣吖饪谭直媛?,需要減小光源波長(zhǎng),或者增大數(shù)值孔徑。光刻機(jī)曝光波長(zhǎng)與透鏡數(shù)值孔徑發(fā)展趨勢(shì)如下表所示,193nm波長(zhǎng)干式光刻機(jī)的極限數(shù)值孔徑為0.93,之后采取浸沒(méi)式光刻,數(shù)值孔徑增加到1.35。分辨率高了,做的結(jié)構(gòu)體積就越小,性能和功耗自然就會(huì)改善,最重要的是,成本會(huì)更低(簡(jiǎn)單的理解,同樣大小的硅晶圓上,可以生產(chǎn)更多的芯片)
摩爾定律的驅(qū)使下,芯片器件尺寸不斷縮小,對(duì)工藝的要求越來(lái)越高,最大的瓶頸就是分辨率的提高,而光刻機(jī)的發(fā)展逐漸跟不上節(jié)奏了,更小波長(zhǎng)的光刻機(jī)難以制造,因此出現(xiàn)了一系列分辨率增強(qiáng)技術(shù),例如離軸照明、多級(jí)光源,光學(xué)臨近效應(yīng)修正,移相掩模,光源掩模協(xié)同優(yōu)化,多重曝光,自對(duì)準(zhǔn)多重光刻技術(shù)等,這些技術(shù)的出現(xiàn),將摩爾定律硬生生延續(xù)了下來(lái),當(dāng)然,也有人在研究光刻技術(shù)的替代技術(shù),例如納米壓印,DSA等。
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