FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
富士通半導(dǎo)體FRAM產(chǎn)品系列非常豐富，包括獨(dú)立式記憶體、內(nèi)建FRAM的RFID/驗(yàn)證系統(tǒng)級(jí)晶片(LSI)，以及客制化解決方案。其非易失性、高速、高讀寫耐久性的車規(guī)級(jí)FRAM，可在高達(dá)攝氏125度的高溫環(huán)境下運(yùn)作，且符合嚴(yán)苛的汽車行業(yè)AEC Q100標(biāo)準(zhǔn)。
