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2020年05月28日 | Diodes推出3.3mm單芯片封裝雙MOSFET

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Diodes Incorporated宣布推出新一代分立MOSFET的首款產(chǎn)品。DMN3012LEG以較小的封裝提供更高的效率,從而在各種電源轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用中提供了可觀的成本,功率和空間節(jié)省。


與典型的兩芯片解決方案相比,DMN3012LEG在尺寸僅為3.3mmx3.3mm的單個(gè)封裝中集成了雙MOSFET,并將電路板空間需求減少了多達(dá)50%。這種節(jié)省空間的優(yōu)點(diǎn)是使用負(fù)載點(diǎn)(PoL)和電源管理模塊的一系列應(yīng)用程序。DMN3012LEG可用于DC-DC同步降壓轉(zhuǎn)換器和半橋電源拓?fù)渲?,以減小電源轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。


PowerDI 3333-8 Type D封裝的3D結(jié)構(gòu)有助于提高整體電源效率,而高額定電壓額定電流使其得到廣泛應(yīng)用。完全接地的焊盤設(shè)計(jì)具有良好的散熱性能,從而使整體解決方案能夠在較低溫度下運(yùn)行,所用工藝的高開關(guān)速度和效率也使對(duì)大型電感器和電容器的需求降到最低。


DMN3012LEG集成了兩個(gè)N溝道增強(qiáng)模式MOSFET,非常適合同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。使用橫向擴(kuò)散MOS(LDMOS)工藝,它結(jié)合了Q1的5.1nS和6.4nS以及Q2的4.4nS和12.4ns的快速開啟和關(guān)閉延遲速度。該器件的最大導(dǎo)通電阻(RDS(ON))值在Q1的Vgs = 5V時(shí)僅為12mΩ,在Q2的Vgs=5V時(shí)僅為6mΩ。DMN3012LEG可以接受10V柵極-源極的30V漏極-源極電壓,同時(shí)支持5V柵極驅(qū)動(dòng)。


DMN3012LEG現(xiàn)已開始供貨,以1000片為單位批量購買,每片價(jià)格為0.589美元。


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