直播時(shí)間：4月20日 上午10:00-11:30

直播主題：基于Source-down技術(shù)的全新英飛凌MOSFET，有效提升功率密度，肉眼可見(jiàn)

直播內(nèi)容：

無(wú)論是開(kāi)關(guān)電源還是馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，工程師們通常都在孜孜不倦地追求三“高”：更高的效率，更高的功率密度，以及更高的可靠性。可是現(xiàn)有PCB空間已經(jīng)非常狹小了，如何實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)？這通常困擾著設(shè)計(jì)工程師。為了解決大家困擾已久的問(wèn)題，英飛凌創(chuàng)新地推出了基于Source-down技術(shù)的全新功率OptiMOS? MOSFET，就是為了幫助客戶(hù)工程師解決這些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。本次直播英飛凌與合作伙伴品佳集團(tuán)一起為您全面詳細(xì)的介紹英飛凌創(chuàng)新的OptiMOS? MOSFET。為您今后的設(shè)計(jì)提供新的思路，絕對(duì)物有所值。

產(chǎn)品介紹：

圍繞 OptiMOS? 低壓功率MOSFET，英飛凌推出了“源極底置(Source Down)”的概念，它不僅是“芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的翻轉(zhuǎn)”，同時(shí)也對(duì)整個(gè)封裝進(jìn)行了優(yōu)化。通過(guò)優(yōu)化芯片內(nèi)核以及轉(zhuǎn)接夾片，極大地降低了導(dǎo)通電阻RDS(on)，同時(shí)熱阻RthJC也顯著降低。 另外，源極底置(Source Down)技術(shù)提升了MOSFET的最大連續(xù)和脈沖漏極電流能力，使電氣工程師能夠顯著提高產(chǎn)品設(shè)計(jì)的功率密度。 點(diǎn)擊圖片觀看Source-down技術(shù)更多介紹

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