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Vishay發(fā)布2011年Super 12特色產(chǎn)品
    2011 年 5 月 18 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產(chǎn)品。這些元器件具有業(yè)界領(lǐng)先的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn),如導(dǎo)通電阻、導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級(jí)。     2011年的Super 12產(chǎn)品如下:     ? 146 CTI SMD極化鋁電容器——對(duì)于汽車(chē)應(yīng)用,通
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Vishay發(fā)布全新集成式光學(xué)傳感器演示套件
    日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布用于VCNL4000全集成式接近和環(huán)境光光學(xué)傳感器的新款演示套件。演示套件中的VCNL4000安裝在一塊PCB板上,并配有USB接口和的演示軟件,使設(shè)計(jì)者不用花很多錢(qián)就能為其應(yīng)用輕松評(píng)估這款器件。     作為全集成式傳感器,VCNL4000將紅外發(fā)射器、接近光敏二極管、環(huán)境光探測(cè)器、信號(hào)處理IC,以及I2C總線(xiàn)通信接口裝進(jìn)一個(gè)小尺寸的
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Vishay推出應(yīng)用于航空航天的新款液鉭電容器
    2011 年 5 月 17 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用鉭外殼和glass-to-tantalum密封的新系列液鉭電容器---T16,該器件特別適用于航空、航天領(lǐng)域。T16電解電容器具有Vishay SuperTan?系列器件的所有優(yōu)點(diǎn),同時(shí)還具有更好的反向電壓和高耐震性能。     T16的性能有很大提高,在+85℃下的反向電壓為1.5V;采用高可
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Vishay推出高效集成DrMOS解決方案
    采用低外形PowerPAK? MLP 6x6封裝的集成解決方案包含了高邊和低邊功率MOSFET、驅(qū)動(dòng)IC和自舉二極管     賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 5 月 10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動(dòng)IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。 
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Vishay推出新款高可靠性貼片式電容器
    2011 年 5 月 3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新系列HI TMP? TANTAMOUNT?表面貼裝固鉭貼片式電容器--- TH5,在業(yè)內(nèi)首次在12V或21V下使容值達(dá)到10μF,可在+200℃可連續(xù)工作500小時(shí),而不需要進(jìn)行電壓降額。     由于能在比業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的+150℃或+170℃更高的溫度下工作,TH5在價(jià)格上很有競(jìng)爭(zhēng)力,并且為在非常高的溫
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Vishay為模壓鉭貼片電容器新增外形尺寸
    2011 年 5 月3日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,為廣受歡迎的低ESR TR3高容量、高電壓模壓鉭貼片電容器新增一種W外形尺寸(EIA 7316)。新外形尺寸為7.3mm x 6.0mm,高3.45mm,使電容器的容量和電壓范圍擴(kuò)展到現(xiàn)有A至E外形尺寸以外。      繼Vishay近期發(fā)布63V和75V鉭電容器之后,低ESR TR3 W外形版本的發(fā)布
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Vishay擴(kuò)大ORN薄膜模壓電阻網(wǎng)絡(luò)的阻值范圍
    日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,該公司擴(kuò)大了ORN系列薄膜模壓雙列直插式表面貼裝電阻網(wǎng)絡(luò)的阻值范圍。增強(qiáng)后的器件可提供49.9Ω~500kΩ范圍內(nèi)的13種標(biāo)準(zhǔn)阻值,使設(shè)計(jì)者在相同的標(biāo)準(zhǔn)窄體SOIC鷗翼型封裝內(nèi)可使用阻值更高或更低的電阻。         ORN系列中的器件具有比分立芯片更高的精度,在一個(gè)3.99mm x 4.93mm的8管腳表面貼裝的網(wǎng)絡(luò)內(nèi)裝入
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Vishay發(fā)布新的鋁電容器在線(xiàn)選擇工具
    賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 4 月 28 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,在公司網(wǎng)站(www.vishay.com)上推出新的鋁電容器在線(xiàn)選擇工具。這個(gè)工具能幫助設(shè)計(jì)者挑選適合其應(yīng)用的器件,從而節(jié)省工作時(shí)間。     Vishay新的選擇工具能夠根據(jù)容值、電壓、樣式(如軸向式、徑向式、SMD、壓扣式或螺絲端子)、外形尺寸、最高溫度、使用壽命和封裝
軟件大?。何粗?/span>星級(jí):更新時(shí)間:2011-04-28
IFSC系列低外形 高電流電感器
    賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 4 月 20 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用0806、1008、1111和1515外形尺寸的新系列低外形、高電流電感器---IFSC。IFSC器件具有低至1.0mm的超薄外形和高的最大頻率,提供0.47μH~47.0μH的標(biāo)準(zhǔn)感值。     今天發(fā)布的IFSC電感器的頻率高達(dá)5.0MHz,在LCD顯示器、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、數(shù)碼視頻攝像頭、智
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高性能單通道和雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)
    賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 4 月 14 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出三款新的可在1.1V~5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負(fù)載開(kāi)關(guān)--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414,器件在1.2V下的低開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻能夠提高效率,150μs的典型受控軟啟動(dòng)斜率能夠限制涌入電流,使受控的啟動(dòng)過(guò)程更加平滑,從而將開(kāi)關(guān)噪聲降至最小。   
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SPM鎳鉻合金芯片電阻高溫高濕的加速測(cè)試
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高性能單通道和雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)
    賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 4 月 14 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出三款新的可在1.1V~5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負(fù)載開(kāi)關(guān)--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414,器件在1.2V下的低開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻能夠提高效率,150μs的典型受控軟啟動(dòng)斜率能夠限制涌入電流,使受控的啟動(dòng)過(guò)程更加平滑,從而將開(kāi)關(guān)噪聲降至最小。   
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高效的新款橋式整流器
    賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 4 月 13 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用GSIB-5S封裝的新款單相直排橋式整流器--- LVB1560和LVB2560。整流器的VF比前一代產(chǎn)品更低,在+125℃下只有0.73V,并可承受高正向浪涌電流。     LVB1560的電流等級(jí)為15A,在7.5A電流時(shí)的正向電壓降低至0.73V,LVB2560的電流等級(jí)為25A,在1
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Vishay產(chǎn)品入選Design News最佳產(chǎn)品的評(píng)選名單
    賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 4 月 11 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,其TANTAMOUNT? Hi-Rel COTS T97和商用的工業(yè)級(jí)597D系列固鉭貼片電容器,以及ThunderFET? SiR880DP 80V N溝道功率MOSFET入選2011年Design News雜志電子和測(cè)試類(lèi)Golden Mousetrap Best Product的最終評(píng)選名單。    
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薄膜材料的模壓雙列直插電阻分壓器
    日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布新系列薄膜材料的模壓雙列直插電阻分壓器---ORNV系列。分壓器具有±0.05%的嚴(yán)格分壓比容差,在2000小時(shí)和+70℃條件下的分壓比穩(wěn)定率特性(ΔR)為±0.015%,還具有±5PPM/oC的嚴(yán)格TCR跟蹤。ORNV系列中的器件由5個(gè)電阻組成4mm x 5mm的8引腳表面貼裝網(wǎng)絡(luò),包括2個(gè)分壓器和1個(gè)參考電阻,具有比分立式SMT芯片更高的精度。     OR
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